齐纳二极管（稳压二极管）：利用在PN结加反向电压产生的雪崩击穿而产生稳定电压的二极管。
PN结二极管：是把P型半导体和N型半导体结合在一起的二极管。用硅或锗做材料。用于整流的时候，被设计成可以通过比较大的电流。另外，用于小信号时电流变小，被设计成可以在开/关间高速切换。
江崎二极管（ 隧道二极管）：江崎二极管拥有利用隧道效应的负阻抗区。多用于微波的波源。
变容二极管：在PN结施加反向电压时端口间的电容变化的二极管。容量根据空乏层扩大而变化。多用于收音机等电子调谐电路。
肖特基二极管：是利用金属和半导体接触时生成的肖特基势垒的二极管。上升电压低，因为一边的端口是金属，所以可以高速地开关。
光电二极管：光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。PN结型光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件（Charge-coupled Device, CCD）以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。
PIN二极管：以削减电容为目的，是有介于P型半导体和N型半导体之间夹着本征半导体的构造的半导体。可以高速地开关。
激光二极管：激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点，但它对过电流、过电压以及静电干扰极为敏感，因此，在使用时，要特别注意不要使其工作参数超过其最大允许值。
雪崩二极管：利用在PN结加反向电压产生的雪崩击穿而带有负阻抗区的二极管。多用于微波的波源。
发光二极管：发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成，它在照明领域应用广泛，在电路及仪器中作为指示灯。
